Небуферизованная память Long-DIMM и SO-DIMM с более низким рабочим напряжением (1.35В) обеспечивают экономию энергии, по сравнению со стандартными модулями памяти, которые работают при напряжении 1.5В.

DRAM модуль
Тип RAM    DDR3
Тип DIMM    Unbuffered SO-DIMM
Скорость    1333
Тайминги    CL9
Емкость    4GB
Ранг    2Rx8
DRAM    (256Mx8)x16
Напряжение    1.35V
Пин    204 pin
Высота печатной платы    1.18 дюймов

< Назад в раздел